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数量:752 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 频率 | 3.55GHz |
| 增益 | 10dB |
| 电压 - 测试 | 12V |
| 额定电流 | 2.9A |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 130mA |
| Power - 输出功率 | 9W |
| 电压 - 额定 | 15V |
| 包/盒 | PLD-1.5 |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3PLD-1.5 |
| 配置 | Single Dual Source |
| 最大漏源电压 | 15 V |
| 最大门源电压 | -5 V |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | PLD-1.5 |
| 最大门源电压 | -5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 85 |
| 标准包装名称 | PLD-1.5 |
| 包装高度 | 1.83(Max) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电压 | 15 |
| 包装宽度 | 5.97(Max) |
| PCB | 3 |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 最低工作温度 | -40 |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 电压 - 额定 | 15V |
| 供应商设备封装 | PLD-1.5 |
| 电压 - 测试 | 12V |
| 频率 | 3.55GHz |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 电流 - 测试 | 130mA |
| 额定电流 | 2.9A |
| 功率 - 输出 | 9W |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 其他名称 | MRFG35010ANT1CT |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 漏源电压VDS | 15 V |
| 产品种类 | Transistors RF JFET |
| 源极击穿电压 | - 5 V |
| 连续漏极电流 | 2.9 A |
| 系列 | MRFG35010ANT1 |
| 产品 | RF JFET |
| 单位重量 | 0.009877 oz |
| 在P1dB | 9 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 栅源电压（最大值） | 5 V |
| 漏源电压（最大值） | 15 V |
| 弧度硬化 | No |
| 包装类型 | PLD-1.5 |
| 工作温度（最大） | 85C |
| 工作温度（最小值） | -40C |
| 工作温度分类 | Industrial |
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